英飛凌PIM模塊FP15R12KT3 FP15R12KE3新到貨
工藝：IGBT3 Fast/IGBT3
封裝：EasyPIM 2
特性：PIM模塊(功率集成模塊:三相橋 + 七單元 + 溫度傳感器)
批號(hào):08/09+
飽和壓降:1.7 V
廠家:英飛凌

IGBT的串并聯(lián)
   
    A、 并聯(lián)目的是增大使用的工作電流，但器件要匹配，每塊Vce之差 <0.3V，還要降流使用，對(duì)600V的降10%Ic，1200-1400V的降15%Ic，1700V的降20%Ic，這組值指≥200A的模塊，并要取飽和壓降相等或接近的模塊才行。柵控電路要分開，除靜態(tài)均流外，還有動(dòng)態(tài)均流問題，并使溫度相接近，以免影響電流的均衡分配，因IGBT是負(fù)阻特性的器件。
    B、串聯(lián)的目的是增高使用的工作電壓，其要求比并聯(lián)更高，主要是靜態(tài)均壓及動(dòng)態(tài)均壓問題，尤其是動(dòng)態(tài)均壓有一定難度。成都佳靈公司提出的容性母板技術(shù)（1+N）只串聯(lián)動(dòng)態(tài)電壓箝位均壓方式已處于工業(yè)實(shí)驗(yàn)階段。若動(dòng)態(tài)均壓不佳，要造成串聯(lián)臂各器件上的Vce電壓不等，造成一個(gè)過壓影響同一臂一串電擊穿。
    C、總之IGBT的串并聯(lián)應(yīng)盡量避免，不要以低壓小電流器件，通過串并聯(lián)企圖解決高電壓大電流，這樣做法往往失得其反，而器件增多可靠性更差，電路亦復(fù)雜化等，在不得而已的條件下，要慎重。目今單個(gè)IGBT的電壓或電流基本能滿足用戶的需要，隨著時(shí)代發(fā)展電路的改進(jìn)，將會(huì)有更高電壓，更大電流的功率器問世，這是必然的。
 

變頻專用功率集成模塊PIM
   
   近5年內(nèi)問世的，變頻器主電路使用的綜合集成功率器件。例德英飛凌公司生產(chǎn)的FP15R12KT3 FP15R12KE31200V系列，4-75A 600V系列，它包含了三相橋 + 七單元 +溫度傳感器。但不包括驅(qū)動(dòng)電路。有的專業(yè)廠例富士等將整流、制動(dòng)、IGBT、保護(hù)、驅(qū)動(dòng)、控制全部一體化集成模塊，那樣使用更方便、可靠。其特點(diǎn)是：
   A、集成全部器件及電路；B、體積小，功率大，損耗低，較穩(wěn)定；C、優(yōu)化內(nèi)部布線，減少寄生噪音；D有完全的自保護(hù)電路，具有快速、靈敏；E、不足的是當(dāng)其中有一個(gè)器件壞時(shí)，將造成整體的報(bào)損，它不同于分離方式模塊，只局限于損壞的更換就可。