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igbt模塊電流的選擇方法

日期:2025-06-06 12:36
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摘要:
 
      大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下,所以,通常IGBT模塊的工作電壓(600V、1200V、1700V)均對應于常用電網(wǎng)的電壓等級??紤]到過載,電網(wǎng)波動,開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設計比較好,就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。
      半導體器件具有溫度敏感性,因此,IGBT模塊標稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升,IGBT模塊可利用的電流就會下降,英飛凌IGBT模塊是按殼溫Tc=80℃或100℃來標稱其*大允許通過的集電極電流(Ic).對于英飛凌 NPT-IGBT芯片來說,當Tc<25℃時,這個電流值通常是一個恒定值,但是,隨著Tc的增加,這個可利用的電流值下降較快,有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的電流值來標稱型號,這個需要特別注意。

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